논문 국내 국내전문학술지(KCI급) Effect of annealing temperature of solid electrolyte layer on the electrical characteristics of polymer memristor
- 학술지 구분 국내전문학술지(KCI급)
- 게재년월 2022
- 저자명 Woo-Seok Kim, Eun-Kyung Noh, Jin-Hyuk Kwon*, Min-Hoi Kim
- 학술지명 ", J. Inst. Korean Electr. Electron. Eng
- 발행처명 KCI
- 발행국가 국내
- 논문언어 한국어
홈페이지논문 초록 (Abstract)
Poly(vinylidene fluoride-trifluoroethylene)(P(VDF-TrFE)) 고체 전해질 층의 어닐링 온도가 고분자 멤리스터의 전기적 특성에 미치는 영향을 분석하였다. 형태적 분석에서 100℃ 어닐링 온도를 갖는 P(VDF-TrFE) (100P(VDF-TrFE)) 박막 대비 200℃ 어닐링 온도를 갖는 P(VDF-TrFE) (200P(VDF-TrFE)) 박막의 표면 거칠기가 약 5 배 크고 두께는 약 20% 작은 것으로 나타났다. 100P(VDF-TrFE)를 갖는 멤리스터 (M100) 대비 200P(VDF-TrFE) 멤리스터 (M200)의 set voltage는 약 50 % 감소하였고, resetvoltage의 크기는 약 30 % 증가하였다. 또한, M200이 M100보다 더 나은 메모리 유지 특성을 갖는 것으로 나타났다. 이러한 차이는 M100 대비 M200 내부의 강한 국소 전기장 때문인 것으로 판단된다. 본 연구는 고분자 멤리스터의 어닐링 온도의 중요성을 제시함에 의의가 있다.